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宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
正文
宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
2025-05-06 15:07:00 来源:
于今为烈网
作者:
平谷区
点击:
544次
作者:澄迈县
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